Overview：With 13 different RDS (on) and package combinations ranging from 6mΩ to 60mΩ, the 750V Gen 4 UJ4C/SC series of SiC FETs provide designers with the industry's best performance and most device options, improving design flexibility to achieve an optimum cost/efficiency trade-off while maintaining generous design margins and circuit robustness.

Description：Based on a unique cascode configuration, the UF4C/SC Gen 4 SiC FET series is rated at 1,200V and delivers industry-best performance Figures of Merit across RDS (on) x A, RDS (on) x Coss,tr and RDS(on) x Qg, making them an optimal power solution for mainstream 800V bus architectures. With excellent reliability and on the basis of the well-managed thermal performance of the UF4C/SC series, it could realize an advanced silver-sinter die attach and advanced wafer-thinning processing. 

Description: VS3V3BA1FS is the TVS diode which is ideal for I/F protection in electronic devices and 01005(0402)-size. Low clamping voltage and high surge resistance contribute to better protection.